NTK hat eine organische Aufbausubstrattechnik für Hochgeschwindigkeits FlipChip-Komponenten entwickelt, genannt NTS TM. NTS ist optimiert für hochintegrierte µ-Prozessoren und ASIC-Anwendungen, wo ein niedriger Leiterbahnwiderstand und eine niedrige Dielektrizitätskonstante erforderlich sind. Mehrfache Aufbaulagen sind um das BT-Kernmaterial herum möglich. BGA- oder PGA-Typen sind verfügbar.

Merkmale:

FlipChip-Lösung für hochintegrierte, Hochleistungs-ASICs und µ-Prozessoren

Mehrfache Aufbaulagen für Signal- und Erdungsverteilung sind um das zentrale Kernmaterial herum möglich.

Leiterbahnen aus Kupfer mit niedrigen Widerstand

Hoch zuverlässiger Photo-/Laser-Dielektrikumfilm wird für den Aufbau der Isolierung verwendet

FlipChip-Bumps

Durchmesser: 100 ~ 120µm

Mittenabstand: 200 ~ 230µm

Leiterbahnen

Breite: 30 ~ 35µm

Abstand: 30 ~ 35µm

Durchkontaktierungen

Loch-Durchmesser: 80 ~ 90µm

Pad-Durchmesser: 100 ~ 130µm

Galvanisierte Durchkontaktierungen (PTH) im Kernsubstrat

Durchmesser: 250 ~ 300µm

Mittenabstand: 600 ~ 650µm

Gehäuseoptionen

OLGA oder OPGA Optionen für L2 Verbindungen

Oberfächenendveredelung auf der Chipseite:

Ni/Au Überzug mit eutektischemLot

Für anderer Typen wenden Sie sich bitte an NTK